岗位职责：

1、负责Power MOSFET芯片的结构设计，工艺开发，重点为CoolMOS产品；

2、负责完成Power MOSFET产品的电性测试、物理结构分析、电性参数仿真等。设计并优化DOE实验，实现Power MOSFET产品参数的改善，与代工厂沟通建立工艺流程菜单；

3、负责制定器件封测规范，提供器件测试分析报告；

4、协助其它岗位完成产品WAT测试、良率提升、失效分析等。

任职要求：

1、微电子、半导体、物理或相关专业本科以上学历；

2、功率器件开发3年以上工作经验，在相关领域工作5年以上的，可应聘资深工程师； 

3、精通主要的版图设计工具，如：L-EDIT、Cadence等，可以独立完成器件版图设计；

4、熟悉主流MASK shop的版图布局要求，有MPW版图实际操作经验者优先录用；

5、具备CoolMOS、SGT等器件开发到量产的经验，了解相关器件发展水平及发展趋势；

6、具备一定的可靠性验证和评估能力，至少熟练使用以下仿真软件中的一种：Medici、Tsuprem4、Silvaco、Sentaurus等；

7、工作严谨、思路清晰，有较好的沟通能力、学习能力和团队协作能力。